近期,陈桂林、王伟煌等的“改变Sn/Ge比例调控Cu2ZnSn1-xGexS(e)4能带以满足全光谱吸收”研究成果在Journal of Alloys and Compounds上发表

时间:2017-07-15浏览:646

近期,陈桂林王伟煌等的改变Sn/Ge比例调控Cu2ZnSn1-xGexS(e)4能带以满足全光谱吸收研究成果在《Journal of Alloys and Compounds》上发表。

论文简介如下:

Ge取代Sn是一种制备高效率CZTGS(e)的有效方法,特别是在多节电池和能带梯度电池的应用特别广泛。然而,目前对于CZTGS(e)的结构和光学性能随着Ge/Sn比例的变化的系统研究还较为匮乏。本文所研究的CZTGS(e)薄膜是采用硒化和硫化氧化物前驱薄膜而获得,它们的光学性能、组分和晶体结构主要通过吸收光谱、扫描电镜和XRD/Raman等表征手段完成。XRD峰和Raman振动峰均表明Ge元素有效地替换了CZTS中的Sn,它们的峰都往高角度和高波数方向移动。另外,吸收光谱测试表明了CZTGS(e)的能带可以在一个较宽的范围内(0.96~2.0 eV)调节。初步组装得电池表明电池开路电压随着能带的增加而增加,而短路电流出现了相反的趋势。这个研究有望实现对太阳光的全光谱吸收。


采用不同的Sn/Ge比例实现CZTGS(e)对于太阳光的大范围吸收

  

官网链接:http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925838817317462

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