近期,陈桂林、王伟煌、陈水源等的“硒化气氛对于CZTSSe薄膜及其器件性能的影响”研究成果在Materials Research Bulletin上发表
发布时间: 2017-07-26    浏览次数: 54

   近期,陈桂林王伟煌、陈水源等的硒化气氛对于CZTSSe薄膜及其器件性能的影响研究成果在《Materials Research Bulletin》上发表。

论文简介如下:

硒化退火是基于硫化物前驱物制备CZTSSe薄膜的重要过程,是获得高效率电池的关键。为了探究退火气氛对于Se取代CZTSS的影响,我们采用不同退火气氛如真空或Ar气氛。研究表明Ar气氛中硒化可以更有效地将CZTS中的S取代更完全,进而获得大晶粒和窄带隙的薄膜。同时反应动力学也被用来解释这种现象,结果表明当在Ar气氛退火时,Ar流可以带走硫蒸汽,进而使反应加速。最后,我们研究了退火气氛对于器件性能的影响。真空硒化的电池展现出更高的效率(4.4%),这是由于所获得CZTSSe薄膜的能带更为适中。据我们所知,这是基于氧化物纳米颗粒颗粒法制备的CZTSSe电池的最高效率。

不同的退火气氛对薄膜及器件性能的影响

  

官网链接:http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0025540817304580

本网全文下载:Influence of selenization atmosphere on the Cu2ZnSn(S,Se)4 thin films and its correlation to the performance of solar cells.pdf

  


 

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