近期，陈桂林、王伟煌、陈水源等的“硒化气氛对于CZTSSe薄膜及其器件性能的影响”研究成果在《Materials Research Bulletin》上发表。
论文简介如下：
硒化退火是基于硫化物前驱物制备CZTSSe薄膜的重要过程，是获得高效率电池的关键。为了探究退火气氛对于Se取代CZTS中S的影响，我们采用不同退火气氛如真空或Ar气氛。研究表明Ar气氛中硒化可以更有效地将CZTS中的S取代更完全，进而获得大晶粒和窄带隙的薄膜。同时反应动力学也被用来解释这种现象，结果表明当在Ar气氛退火时，Ar流可以带走硫蒸汽，进而使反应加速。最后，我们研究了退火气氛对于器件性能的影响。真空硒化的电池展现出更高的效率（4.4%），这是由于所获得CZTSSe薄膜的能带更为适中。据我们所知，这是基于氧化物纳米颗粒颗粒法制备的CZTSSe电池的最高效率。
不同的退火气氛对薄膜及器件性能的影响
官网链接：http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0025540817304580
