近期,陈桂林、王伟煌等的“硫蒸汽压对CZTS薄膜生长及其器件的影响”研究成果在《Solar Energy》上发表。

时间:2017-07-31浏览:151

近期,陈桂林王伟煌等的硫蒸汽压对CZTS薄膜生长及其器件的影响研究成果在《Solar Energy》上发表。

论文简介如下:

硫化过程是制备高质量CZTS吸收层必不可少的过程,它主要受退火时间、退火温度、退火气氛等因素的影响。退火过程中的加热不仅仅为样品提供了能量,而且还决定了硫的蒸汽压,这同样会影响了CZTS薄膜的生长。为了区分退火能量和硫蒸汽压对CZTS薄膜的影响,我们采用了双温管式炉对薄膜进行退火,这可以独立控制硫源和样品的温度。当保持样品温度不变,我们通过改变了硫源温度获得不同的硫蒸汽压,并研究其对CZTS薄膜的结晶性和形貌的影响。同时,我们对相应的电池器件进行了研究,发现器件性能依赖于硫蒸汽压。最终,在高硫蒸汽下,我们获得了转换效率2.59%CZTS薄膜电池。


不同的硫蒸汽压退火对CZTS薄膜电池性能的影响

  

官网链接:http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0254058416309233

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