近期,我院师生陈斌文、陈桂林副教授、张健敏副教授等的研究成果在《Nanoscale》上发表。

时间:2019-08-29浏览:13

        近期,陈斌文、陈桂林、张健敏等的 “Highly oriented GeSe thin film: self-assembly growth via the sandwiching post-annealing treatment and its solar cell performance” 研究成果在《Nanoscale》上发表。

论文简介如下:

GeSe具有理想带隙、高吸收系数、稳定好、组分无毒且丰富,被认为是一类太阳能吸光材料。然而,GeSe在低于熔点温度下具有高蒸汽压,这使其很难获得高质量的薄膜。为了解决这一难题,本工作在蒸发法基础上引入一种三明治结构退火方式有效抑制了GeSe的再蒸发,并获得了具有(100)取向的GeSe薄膜。通过对这种高取向的GeSe薄膜的自组装方式进行系统研究,结果与理论计算的[100]晶面具有最低能量相吻合。最终,基于所获得的GeSe薄膜,我们组装了具有FTO/TiO2/GeSe/Carbon/Ag结构的电池,获得了340 mV的开路电压(最大值可达456 mV),这也是目前GeSe电池的最高开路电压。进一步地,CVDLCP等测试揭露了限制该GeSe电池效率的根本原因在于窄的空间电荷138nm)和TiO2/GeSe界面的严重复合,这些需要在后续的研究进一步优化。

  

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