方照诒
方照诒（1969），祖籍浙江奉化，出生于台湾台南。台湾（阳明）交通大学材料工程与科学博士，正教授，硕士生导师。近年来一直从事三五族化合物半导体的光电芯片在高频通讯及能源储存中的应用。在氮化镓发光二极管、砷化镓面射激光二极管及氮化镓功率二极管的外延材料、芯片工艺及电子传输的布里渊区异相性取得了一系列研究成果和重要进展。在半导体领域已发表的重要SCI论文包括国际期刊Appl. Phys. Lett. (IF=5.47, 1篇)、IEEE TIM (IF=5.6，1篇) 、IEEE Access (IF=3.557，1篇) 、Jpn. J. Appl. Phys. (IF=1.5，2篇)、重要国际会议论文发表8篇。主持或参与项目总经费超过3.2个亿人民币，包括工信部工业强基项目、台湾经济部技术处项目、深港科技创新国际合作区项目等。此外，申请国家发明专利40余项，已授权16项。
研究领域：
1.氮化镓发光二极管；
2. 砷化镓面射型激光器；
3.氮化镓功率及射频晶体管。
研究生招生专业：
1.半导体外延技术；
2.半导体面射型激光器；
3.高频通讯晶体管芯片工艺；
4.半导体器件新材料及工艺研究；
5.学科教学（热力学、物理冶金、凝态物理电子、材料科学概论）
代表论文：
“A study of subbands emissions in AlGaN/GaN high electron mobility transistor structure using low-temperature photoluminescence spectroscopy”, C. Y. Fang, C. F. Lin, Edward Yi Chang and M. S. Feng, Appl. Phys. Lett., 80, 4558-4560, 2002.
“Study of Etching Damages on AlGaN, GaN and InGaN Caused by Hybrid Inductively Coupled Plasma Etch and Photoenhanced Chemical Wet Etch by Schottky Contact Characterizations”, Chao-Yi FANG, Weng- Jung HUANG, Edward Yi CHANG, Chia-Feng LIN, and Ming-Shiann FENG, Jpn. J. Appl. Phys.
42, 4207-4212, 2003.
“An Innovation Ultrasonic Time-of-Flight Measurement Method Using Peak Time Sequences of Different Frequencies”, IEEE TRANSACTIONS ON INSTRUMENTATION AND MEASUREMENT,. 60, NO. 3, MARCH 2011, Shyh-Biau Jiang, Chi-Ming Yang, Rui-Song Huang, Chao-Yi Fang, and Tse-Liang Yeh.
“The Characteristics of The TiWNx and WNx Schottky Diode on GaN”, Cheng-Shih Lee, Edward-Yi Chang, Li Chang, Chao-Yi Fang, Yao-Lin Huang and Jian-Sheng Huang, Jpn. J.. Appl. Phys.42, 4193-4196, 2003.
“GaN-VCSEL技術發展史及其市場應用簡介”，郭浩中、盧廷昌、方照詒、葉晏瑋，奈米通訊 25:2 2018.06 [民107.06]。
“High-Brightness, High-Speed, and Low-Noise VCSEL Arrays for Optical Communicaiton”， Zuhaib Khan, Yong-Hao Chang, Te-Lieh Pan, Yaung-Cheng Zhao, Yen-Yu Huang, Chia-Hung Lee, Jui-Sheng Chang, Cheng-Yi Liu, Chao-Yi Fang, Cheng-Yuan Lee, and Jin-Wei Shi , IEEE Access，2021-12-6
科研项目：
目前主持福建省自然科学基（项目编号: 2023J01233）。
已授权发明专利：
1.“Nitride Light Emitting Device And High Luminous Power Conversion Efficiency Nitride Emitting Device”，JP 2005191110A。
2.“窒化物発光装置及び高発光効率窒化物発光装置” 日本專利，JP4557542B2。
3.“半導體加工設備及其托盤” ，大陸專利，CN203999905U。
4.“微透鏡芯片”，大陸新型專利，CN210224594U。
5.“高導熱性金屬鍵合結構”，大陸新型專利，CN210224593U。
6.“具备倒装结构的垂直腔面发射激光器阵列”，CN215119537U。
7.“变激发光源入射角度的PL波长的量测方法及装置” ，CN111562008B。
8.“具有复合钝化层的垂直腔表面发射激光器和其制作”，CN111313236B。
9.“备非圆柱形平台的垂直腔面发射激光器及其制备方法”, CN112003124B。
10.“预离子布植的垂直腔面发射激光器的制作方法”， CN112332216B。
11. “一种高折射率对比的Al2O3/ AlxGa1-xAs DBR VCSEL制作方法“。
12. “具备非圆柱形平台的垂直腔面发射激光器及其制备方法”，CN112003124B。
13. “具备非圆柱形平台的垂直腔面发射激光器及其制备方法“，CN113644546B。
14. “具备非圆柱形平台的垂直腔面发射激光器及其制备方法“，CN113708217B。
15. “一种vcsel结构“，CN114204415B。
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