我院张健敏课题组在磁性拓扑电子材料领域取得系列重要进展

时间:2021-08-31浏览:861

近期,我院张健敏课题组与常熟理工学院房勇实验组等合作,在拓扑半金属领域取得系列重要研究进展。

 

系列研究简介

磁性拓扑半金属作为一种具有非平庸拓扑性的新型量子物质态,已经成为物理学和材料科学的一个新的前沿领域。近来涌现新型拓扑材料——稀土氮族化合物(REPn, RE=Rare Earth elements; Pn= N, P, As, Sb, Bi)则因为晶格结构十分简单、电子结构简单等特点吸引了大量理论和实验物理学家的关注。研究生阮毓荣、郭文锑、张健敏副教授等对该家族材料的磁阻机制、电子结构、拓扑性质以及高压相变展开了深入研究,并同常熟理工学院房勇实验组等密切合作,在YBi[1]HoBi[2]CeSb[3]LuBi[4]等多个材料中取得系列重要研究进展。

近期,他们又在HoSb材料中研究了温度和磁场对其费米面各向异性和拓扑性质的影响。他们深入对HoSb进行了转角磁电阻测量和电子带结构计算,揭示了HoSb的费米面各向异性和拓扑性质在不同磁态下的演变及不同磁态下的拓扑性质。值得注意的是HoSb在温度和外磁场作用下会经历顺磁、铁磁、反铁磁相变,这一过程将伴随着材料拓扑性质的重要转变。该成果为探寻磁性和物质的拓扑状态之间的关系提供了重要的平台[5]。相关研究成果以“Topological quantum phase transition in the magnetic semimetal HoSb”为题在《Journal of Materials Chemistry C》期刊上发表,并被编辑选为封面论文

    系列研究工作得到了国家自然科学基金面上项目、福建省自然科学基金重点项目、福建省自然科学基金杰出青年基金等项目的支持。

官网链接:https://doi.org/10.1039/D1TC01034D

全文链接:Zhang 2021JMCC封面论文.pdf

相关文章:

[1] Journal of Materials Chemistry C 6, 10020 (2018).

[2] New Journal of Physics 21, 093063 (2019).

[3] Physical Review B 101, 094424 (2020).

[4] Physical Review Materials 4, 124204 (2020).

[5] Journal of Materials Chemistry C 9, 6996 (2021).