近期, 我院研究生陈斌文、陈桂林副教授等的研究成果在《Solar Energy》上发表

时间:2018-12-03浏览:388

近期,陈斌文、陈桂林等的磁控溅射制备GeSe薄膜太阳能电池研究成果在《Solar Energy》上发表。

论文简介如下:

GeSe是一类IV-VI化合物半导体材料,其成分丰富、低毒,可作为一种潜在的太阳能吸收层材料,已引起众多科研工作者的注意。在这个工作中,我们首先引入了一种简单、高效的磁控溅射法沉积GeSe前驱膜,随后将其置于真空中退火以改善薄膜质量。不同退火温度对前驱膜结晶性、形貌和相转变的影响也得到了系统的研究,结果表明400℃退火过程中可使少量的GeSe2杂项自分解并获得纯相GeSe薄膜。最后,组装了具有FTO/CdS/GeSe/C-Ag结构的器件,其Voc可达220mV,证明了GeSe可作为一种低成本的太阳能电池材料。

  

官网链接:https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038092X18310090

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