近期，赵勇作为通讯作者、福建师大作为第一作者单位的论文“光子产生的载流子在界面势垒中的隧穿引起电阻切换记忆行为” 研究成果在《JOURNAL OF COLLOID AND INTERFACE SCIENCE》上发表。
论文简介如下：
电阻切换效应是一种重要的物理现象，可以通过施加电脉冲来可逆地改变材料的电阻，这对于在下一代存储系统中构造非易失性电阻随机存取存储器（RRAM）很有用。在这项工作中，通过使用WO3膜（近300 nm）作为介电层，同时使用铟锡氧化物（ITO）作为顶部电极和掺杂铝的氧化锌（AZO），制备了三明治结构（ITO / WO3 / AZO）作为底部电极。在通过光处理的样品中观察到增强的电阻开关记忆行为。此外，随着600℃退火样品的照射时间的增加，设定电压（V-set）和复位电压（V-reset）增加，但HRS / LRS电阻比减小。通过进一步的分析，提出了一种由电脉冲驱动的肖特基势垒层中光子产生的载流子隧穿的物理模型，以解释增强的电阻开关记忆行为。对于适当地将电阻切换现象应用到非易失性RRAM器件中，建议的机制至关重要。
光子产生的载流子在界面势垒中的隧穿引起电阻切换记忆行为
官网链接：DOI: 10.1016/j.jcis.2019.06.076
