近期， 刘金养副教授、周钰涵本科生（2015级新能源科学与工程）等的 “Anisotropic Photoresponse of the Ultrathin GeSe Nanoplates Grown by Rapid Physical Vapor Deposition” 研究成果在SCI-Ⅰ区期刊《ACS Appl. Mater. Interfaces》上发表。
论文简介如下：
各项异性材料特别是由范德瓦尔斯力形成的低对称性二维层状材料由于存在极性依赖的电学、光学和热电性质成为当前的研究热点。二维硒化锗作为一种各项异性的层状斜方晶系结构的窄带隙半导体材料，刚好能够满足这些要求。本论文发展了一种称为快速物理气相沉积的方法，成功生长出超薄的硒化锗纳米片。该纳米片是一种长六边形结构，长边是锯齿型边界，短边是扶手椅型边界。此外，典型的拉曼振动峰表现出90°的周期变化，即在锯齿状边界之间或锯齿状和扶手椅状边界间有最强的拉曼强度，表明该材料存在各项异性的电子-声子相互作用。再者，基于超薄硒化锗纳米片的场效应晶体管纳米器件表明硒化锗是p型的半导体行为且具有很高的光电响应特性。最后，发现该器件对极性光非常敏感，进一步表明硒化锗纳米片具有各项异性的本征特性。本论文结果对于生长二维层状各项异性纳米材料、进一步促进各项异性光电探测器的发展都具有重要的指导意义。
官网链接：https://pubs.acs.org.ccindex.cn/doi/abs/10.1021/acsami.8b19306
