近期，陈桂林、陈水源、黄志高等的“低成本氧化物法制备Cu2FeSnS4”研究成果在《Materials Chemistry and Physics》上发表。
论文简介如下：
在这个工作中，我们展示了一种低成本和新颖的氧化物纳米颗粒法制备CITS薄膜。首先，廉价、地壳储量丰富的氧化物如CuO, Fe2O3和SnO2通过刀刮法涂覆在玻璃衬底。其次，通过在低毒的硫气氛中硫化退火获得CITS。为了研究了在这个硫化过程中，薄膜物相的转变，我们采用了不用的退火温度。研究表明反应中间相Cu3SnS4和Cu2Sn3S7容易出现在CITS生长过程中。最后，当退火温度达到580℃后，具有大晶粒的纯相CITS薄膜也就获得了，同时相应的薄膜也显示出了明显的光电响应，表明了所制备的CITS薄膜可以被用作一种低成本的太阳能电池吸收层材料。
不同的退火温度下的CITS薄膜形貌图及580度退火CITS薄膜的光电性能图
官网链接：http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0254058416309233
本网全文下载：
Low cost oxide-based deposition of Cu2FeSnS4 thin films for photovoltaic absorbers.pdf
