近期，陈斌文、陈桂林、张健敏等的 “Highly oriented GeSe thin film: self-assembly growth via the sandwiching post-annealing treatment and its solar cell performance” 研究成果在《Nanoscale》上发表。
论文简介如下：
GeSe具有理想带隙、高吸收系数、稳定好、组分无毒且丰富，被认为是一类太阳能吸光材料。然而，GeSe在低于熔点温度下具有高蒸汽压，这使其很难获得高质量的薄膜。为了解决这一难题，本工作在蒸发法基础上引入一种三明治结构退火方式有效抑制了GeSe的再蒸发，并获得了具有（100）取向的GeSe薄膜。通过对这种高取向的GeSe薄膜的自组装方式进行系统研究，结果与理论计算的[100]晶面具有最低能量相吻合。最终，基于所获得的GeSe薄膜，我们组装了具有FTO/TiO2/GeSe/Carbon/Ag结构的电池，获得了340 mV的开路电压（最大值可达456 mV），这也是目前GeSe电池的最高开路电压。进一步地，CV、DLCP等测试揭露了限制该GeSe电池效率的根本原因在于窄的空间电荷区（138nm）和TiO2/GeSe界面的严重复合，这些需要在后续的研究进一步优化。
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