学术讲座【 Large Scale Growth of Two-Dimensional Semiconducting Materials and Their Device Applications】
时间：2019年7月16日星期二上午10:00
地点：旗山校区理工实验楼3-303
主讲：杨明研究员, 新加坡科技发展局 下属材料研究与工程所
主办：物理与能源学院、福建省量子调控与新能源材料重点实验室，福建省太阳能转换与储能工程技术研究中心
专家简介： 杨明博士,2001年福建师范大学物理系，厦门大学物理学系光学专业硕士，新加坡国立大学博士，新加坡国立大学物理系博士后。2015年加入新加坡科技发展局 (A*STAR) 下属材料研究与工程所 (IMRE) ，担任研究员，从事材料科学研究至今。
杨明博士多年来一直从事材料生长与表征， 并运用第一性原理计算对材料的物理与化学性质进行研究与预测。近年来，杨明博士主要利用物理气相方法生长大面积二维半导体材料，并研究新颖二维材料的结构、电子学、光学、磁学以及催化等性质， 同时还研究了高介电材料与二维半导体材料界面和金属跟二维半导体材料的接触以及基于二维材料的异质结结构。 杨明博士还对钙钛矿氧化物界面的二维电子气与复杂磁性、拓扑绝缘体材料性质调控等领域作出贡献。
杨明博士在众多国际权威杂志（例如Nat. Nanotech., Nat. Phys. Nat. Commun., Phys. Rev. Lett., J. Am. Chem. Soc., Nano Lett., Adv. Mater., Phys. Rev. B等）上发表了超过95篇的学术论文，相关成果获得全球专利保护 (PCI专利) ，SCI引用次数超过1950次 (H-index 24) ，并还受邀参与编辑石墨烯科学手册（由Taylor and Francis Group出版）相关章节。
报告摘要：
Large scale growth of two-dimensional semiconducting materials are important for the potential device applications, which however still is one of the most challenging issues. In this talk, I will report the growth of 6-inch MoS2 films with good quality and controllable thickness on various substrates using reactive sputtering. Based on these sputtering grown MoS2 layers, I will also demonstrate some device applications with promising performance such as resistive memory and spintronics.