近期，张健敏副教授及研究生郭文锑、黄璐等研究成果 “Pressure-induced topological quantum phase transition in the magnetic topological insulator MnBi2Te4” 在《New Journal of Physics》上发表。
论文简介如下：
本研究报道了磁性拓扑绝缘体MnBi2Te4在压力应变下的拓扑量子相变。通过第一性原理计算研究了MnBi2Te4反铁磁块体结构的电子和拓扑特性。研究表明，MnBi2Te4的能带结构随着应变的变化而变化，发生金属和绝缘体相变。从电荷密度分布随应变的变化中发现，静水拉伸应变有利于增加层间距，从而减少层间反铁磁耦合作用。相反，压缩应变促进了Te和Bi原子层之间成键。值得注意的是，在2.12%的应变作用下Γ点发生能带交叉，带隙刚好闭合，从而实现相变。此外，通过对表面态的计算，观察到在2.12%的应变作用后，体系的块体带隙关闭而(110)表面的表面态带隙重新打开，实现了MnBi2Te4反铁磁块体结构历经拓扑量子相变的应变调控的内在机制。我们的研究结果不仅为MnBi2Te4的压力-应变调控工程提供了可行的指导，也为其他潜在的本征磁性拓扑绝缘体的研究给出有意义的调控机制典范。
官网链接：https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1367-2630/ac1974
全文链接：
New J. Phys. 23 (2021) 083030.pdf