近期， 我院阮毓荣研究生、张健敏副教授、黄志高教授等的研究成果Robustness of the electronic structure and charge transfer in topological insulator Bi2Te2Se and Bi2Se2Te thin films under an external electric field在《Physical Chemistry Chemical Physics》上发表。
论文简介如下：
通过基于密度泛函理论的第一性原理计算，我们系统地研究了拓扑绝缘体Bi2Te3-xSex薄膜在外加电场中的电子性质和电荷转移。计算结果表明Bi2Te3-xSex薄膜的能隙将随着Se原子含量的增加而增大，并且电荷分布也将随之发生变化，这与体系中SOC作用的减弱有着密不可分的关联。此外，我们发现Bi2Te2Se和Bi2Se2Te这两种在自然界中稳定存在的薄膜对外加电场有着极强的鲁棒性，它们的电子结构在高达0.2V/Å的垂直电场中几乎没有变化，只在费米能级附近出现由上下表面电势差导致的Rashba形劈裂，并且它们的电荷转移性质也很难受到外加电场的影响，通过分析我们认为Te和Bi原子间的强共价键在其中扮演了极为关键的作用。Bi2Te2Se和Bi2Se2Te薄膜表现出的这一稳健特性将有效避免电子设备中的电场干扰，这为拓扑绝缘体在自旋电子设备的潜在应用提供了参考。
全文链接：https://doi.org/10.1039/C9CP06206H