近期， 我院刘金养副教授、黄志高教授等研究成果在《ACS Appl. Mater. Interfaces》上发表

刘金养副教授、黄志高教授等在一维高度有序纳米材料领域取得重要进展。他们的研究成果“云母片上外延生长强各项异性的高度有序硒化锑纳米带”（The High Anisotropy of the Epitaxial Growth of the Well-Aligned Sb₂Se₃ Nanoribbons on Mica）在SCI-Ⅰ区期刊《ACS Appl. Mater. Interfaces》上发表。

论文简介如下：

一维半导体纳米结构由于存在不同于其相应块体材料的性质，在基础研究和实际应用中吸引了越来越多的兴趣。本文通过快速物理气相沉积法应用外延生长技术成功生长出强各项异性、高度有序的硒化锑纳米带。硒化锑纳米带的密度随着温度下降迅速增加，最后连接在一起形成网状结构甚至薄膜。这些纳米带沿特定的取向进行排列，即相互平行或形成60°夹角；结构分析表明硒化锑纳米带沿[001]晶向生长，即沿云母表面的 [11(-)0]和[100]或者[100]和[110]方向生长。在此基础上，提出了一种由硒化锑和云母晶体结构引起非相称异质外延晶格匹配生长的非对称晶格匹配生长机制。最后，我们构建了基于高度有序硒化锑纳米带形成薄膜的极性光电探测器，该探测器无论在黑暗还是光照条件下均表现出很强的光灵敏度和面内各项异性传输性质。本论文提出的非相称异质外延生长方法为实现其它无机材料的有序纳米结构的可控生长提供了一种新思路，有望促进各项异性光电探测器的产业化应用。

官网链接：https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsami.9b20142 

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