4月1日下午，香港理工大学应用物理系杨明终身助理教授应邀到访我院，带来了题为“High-throughput design of high-performance high-k dielectrics for 2D electronics”的学术报告。本次报告由院长林应斌教授主持，相关领域师生参加。
杨明助理教授长期致力于融合高通量筛选、大规模密度泛函理论（DFT）计算与物理信息驱动的机器学习方法，以加速功能材料的研发进程；研究聚焦于二维电子器件与自旋电子器件中的关键界面与物性调控，系统探究二维材料及其异质结构的电子结构、磁序演化、拓扑特性及光响应行为。迄今，他在Science、Nature Materials、Nature Electronics、Nature Nanotechnology等国际顶级期刊发表同行评议论文200余篇，参编两部学术专著章节，并已提交1项PCT国际专利与2项美国专利申请。
本次报告围绕高-k电介质与二维半导体异质集成所面临的界面态密度高、介电匹配差及材料筛选效率低等核心挑战，系统阐述了其团队在高性能界面构建方面的两项原创性进展：（1）基于氢化钝化的选择性界面化学调控策略，显著抑制界面缺陷并提升栅控效率；（2）融合第一性原理计算与物理约束的机器学习模型，实现高-k候选材料的高效预测与实验验证。报告兼具理论严谨性、方法创新性与应用前瞻性，引发在场师生的广泛关注与深入思考。在互动环节，杨教授就界面能带对齐机制、模型可解释性及实验可扩展性等问题与师生展开充分而富有启发性的讨论。
杨明助理教授的研究工作深度融合计算材料学与器件物理，在高通量材料设计方法学、二维异质界面工程及智能算法赋能的新材料发现等领域取得系列具有国际影响力的成果。本次讲座不仅拓展了我院师生在先进电子材料前沿方向的学术视野，也推动了我院与高水平学者之间的深入交流。
